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壹周要闻 Vol.230|台积电314亿美元重返龙潭设厂锁定1.4nm以下制程;韩国收紧AI芯片与半导体设备出口管制
发布日期:2026-09-21
壹周要闻 Vol.230 | 泓明供应链情报站
Vol.230 2026.09.12 - 09.18
HMG · 半导体供应链情报站

壹周要闻

半导体产业链全景扫描
▌本期主题
台积电314亿美元重返龙潭设厂锁定1.4nm以下制程;韩国收紧AI芯片与半导体设备出口管制
#先进制程 #埃米世代 #出口管制 #DRAM扩产 #供应链物流
▎本期导读

本周先进制程产能布局与进出口管制成为产业焦点。台积电睽违三年后决定重返龙潭设厂,龙科三期定位优先锁定1.4纳米(A14)以下埃米世代先进制程,初步规划三座晶圆厂,整体投资规模估计超过1兆元新台币(约314亿美元),首座厂目标2030年前后完工。进出口政策方面,韩国修订后的《战略物项进出口公告》9月1日正式实施,高性能AI芯片与先进半导体设备纳入出口管制;商务部对日本DCS反倾销初裁,保证金比率80.8%-99.2%。国内方面,长鑫科技DRAM扩产加速,2026年底月产能将达35万片;台积电首次披露2nm/3nm扩产规划,先进制程产能全面提速;英伟达50亿美元投资英特尔,AI芯片格局重塑;粤芯半导体IPO启动,北方华创在手订单超850亿元。

台积电314亿美元重返龙潭设厂,锁定1.4nm以下埃米世代先进制程

【事实陈述】

9月17日,台湾新竹科学园区龙潭园区扩建计划草案获审议通过,为台积电重返龙潭扫清关键障碍。9月18日,供应链消息证实台积电决定重返龙潭设厂,核心信息包括:

  • 制程定位:龙科三期优先锁定1.4纳米(A14)以下埃米世代先进制程,是台积电继南科、嘉义之后的又一先进制程重镇
  • 产能规划:初步规划三座晶圆厂,首座厂目标2030年前后完工并进入量产准备
  • 投资规模:整体投资估计超过1兆元新台币(约合314亿美元),是台积电近年来最大规模的单一园区投资之一
  • 园区开发:龙潭园区扩建计划预计开发约104公顷土地,总开发经费约956.28亿元新台币(约合201亿元人民币),预计2030年启动公共工程建设
  • 背景原因:随着台积电先进封装扩产重心逐步转往嘉义、南科,龙科三期定位重新调整为先进制程,暌违三年后重返龙潭
【产业链位置】

处于全球最先进制程晶圆制造核心环节,上下游传导链路清晰:

  • 上游:EUV光刻机、高端光刻胶、光掩模、超高纯硅片等最尖端设备与材料
  • 中游:台积电1.4nm以下埃米世代先进制程晶圆制造,与三星、英特尔形成全球三足鼎立
  • 下游:下一代AI芯片、高性能计算芯片、高端处理器设计厂商,传导至AI服务器、数据中心、超级计算全链条
【产业影响】

沿产业链逐级传导,对各环节影响深远:

  • 上游设备材料端:1.4nm以下制程对EUV光刻机、高端光刻胶、光掩模的需求将持续增长,ASML等设备厂商订单能见度进一步延长,最尖端材料供应商受益
  • 中游先进制程端:台积电先进制程布局进一步完善,与三星、英特尔在2nm以下制程的竞争进入白热化,2030年前后将形成新一轮产能释放高峰
  • 下游AI芯片端:1.4nm以下制程产能将为下一代AI芯片提供更强性能支撑,AI算力迭代节奏有望进一步加快
  • 国内产业视角:在先进制程设备受限背景下,国内需在成熟制程特色工艺、先进封装、Chiplet等差异化赛道持续发力,同时关注设备材料国产替代的长期机会
  • 关务视角:1.4nm制程相关设备、材料的进口将持续增长,高端光刻设备与材料的HS归类、减免税适用及口岸查验时效,正成为先进制程供应链的关键变量
【关键数据】
314亿
美元总投资
(超1兆新台币)
1.4nm
以下埃米世代
先进制程定位
3
规划晶圆厂
首座2030年完工
104公顷
园区开发面积
开发经费956亿新台币
【产业链传导图】
⚡ 需求源头
AI算力需求持续爆发

下一代AI芯片对1.4nm以下先进制程需求迫切,性能迭代节奏加快

🏭 晶圆制造

台积电314亿美元重返龙潭,规划3座1.4nm以下晶圆厂,首座2030年完工,先进制程产能布局加速

🔧 设备材料

1.4nm制程拉动EUV光刻机、高端光刻胶、光掩模需求,最尖端设备材料订单能见度延长至2030年后

🔬观察点

先进制程竞争进入埃米世代,台积电与三星、英特尔三足鼎立格局强化;国内在先进制程受限背景下,特色工艺与先进封装成为差异化突破口,这一产能扩张周期预计延续3-5年

动态一 | 韩国修订《战略物项进出口公告》9月1日实施,高性能AI芯片与先进半导体设备纳入出口管制

【事实陈述】

9月1日,韩国产业通商资源部修订后的《战略物项进出口公告》正式生效,将高性能AI集成电路与先进半导体制造装备新增划入战略物项管控清单,核心信息:

  • 管控品类:高性能AI用集成电路、先进半导体制造装备(覆盖光刻、刻蚀等晶圆制造核心工序)、核酸合成设备等新增列入战略物项
  • 许可要求:相关货物对外出口必须提前向韩国政府提交申请,获得专项出口许可后方可发货,未经许可不得出口
  • 修订背景:反映瓦森纳协定(WA)、核供应国集团(NSG)等四大国际出口管制体系的80多项最新共识,同时简化出口许可申请文件
  • 立法过程:7月13日至8月12日进行行政预告,8月31日正式修订公布,9月1日起实施
  • 行业影响:韩国是全球存储芯片(三星、SK海力士)和半导体设备的重要出口国,新规将影响AI芯片与先进设备的全球流通节奏
来源:韩国产业通商资源部公告、集邦咨询、芯智讯
【产业链位置】

处于半导体进出口管制政策环节,影响全产业链跨境流通:

  • 上游:先进半导体设备(光刻、刻蚀)、高性能AI芯片的跨境采购与交付
  • 中游:晶圆制造、存储芯片、AI加速器的全球供应链布局与产能调配
  • 下游:AI数据中心、服务器、消费电子等终端产品的全球交付节奏
【产业影响】
  • 韩国加入先进半导体出口管制行列,全球半导体设备与AI芯片的跨境流通进一步收紧,供应链合规成本上升
  • 国内企业从韩国采购先进半导体设备和高性能芯片的审批周期可能延长,需提前规划采购计划与许可申请
  • 出口管制趋严加速国产替代进程,国内半导体设备、AI芯片企业迎来更多本土验证与导入机会
  • 关务视角:半导体设备与芯片的HS归类、出口管制合规审查、两用物项许可申请正成为进出口通关的关键环节

动态二 | 长鑫科技DRAM扩产加速,2026年底月产能将达35万片

【事实陈述】

9月17日,36氪发布长鑫科技深度报道,披露其DRAM产能扩张路线图与最新进展,核心信息:

  • 现有产能:在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂,在北京运营一座,每座月产能约10万片,合计约30万片/月
  • 扩产目标:2026年底月产能预计提升至约35万片,接近美光同期38.5万片的预估产能;远期目标实现每月60万片晶圆产能
  • 新厂规划:正考虑在北京亦庄建设第二座12英寸DRAM工厂,与现有北京工厂形成双厂布局
  • 业绩表现:上半年主营业务毛利率已升至84.84%,产能利用率保持高位运行,已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商
  • IPO募资:7月科创板上市募投项目总投资345亿元,其中DRAM技术升级180亿元,自2025Q4已启动设备采购
来源:36氪、长鑫科技招股说明书、集邦咨询
【产业链位置】

处于DRAM存储芯片制造核心环节,上下游传导链路:

  • 上游:DRAM制造设备、硅片、光刻胶、特种气体等材料供应商
  • 下游:服务器、PC、智能手机、AI数据中心等终端市场,服务国内存储模组与系统厂商
【产业影响】
  • 国产DRAM产能持续扩张,全球市场份额稳步提升,有助于缓解国内存储芯片对外依赖
  • 上游国产DRAM设备、材料厂商迎来更多验证与导入机会,存储设备国产替代进程加速
  • 在全球存储紧缺背景下,长鑫产能扩张将为国内AI服务器、消费电子厂商提供更多本土存储供给选择
  • 产能快速扩张也带来折旧压力与技术迭代挑战,需持续关注良率爬坡与高端产品占比提升进度
  • 1

    台积电首次披露2nm/3nm扩产规划,2nm半年产能增22%、3nm增16%

    事件:9月14日,据台湾经济日报援引供应链消息,台积电首次向设备与材料伙伴披露2027年中期扩产规划:2nm月产能从2026年底约9万片增至11万片(+22%),3nm从逾18万片增至21万片(+16%),要求供应链同步提升产能

    定位:先进制程晶圆制造环节,2nm GAA与3nm FinFET产能扩张

    影响:AI芯片需求持续旺盛驱动先进制程产能全面提速,上游设备材料厂商订单能见度延长;先进制程产能紧缺格局短期难以缓解,国内晶圆代工需加速差异化布局

  • 2

    英伟达50亿美元投资英特尔,联合开发数据中心与PC芯片

    事件:9月14日,英伟达宣布以每股23.28美元向英特尔投资50亿美元,双方将联合开发数据中心与PC芯片,消息公布后英特尔盘前股价一度飙升超30%。英特尔CEO陈立武透露18A已量产、14A明年Q1投产,目前CPU供货仅满足客户需求50%

    定位:AI芯片设计与先进制程制造的跨界合作环节

    影响:英伟达与英特尔从竞争走向深度合作,AI芯片产业链格局重塑;英特尔获得订单支持,先进制程产能利用率有望提升;国内AI芯片企业需加速自主生态建设应对国际巨头联盟

    来源:Goodreturns、凤凰网、证券时报、网易新闻
  • 3

    商务部对日本DCS反倾销初裁,保证金比率80.8%-99.2%

    事件:9月7日,商务部发布2026年第37号公告,对原产于日本的进口二氯二氢硅(DCS)反倾销调查作出初步裁定,决定实施临时反倾销措施,进口商须按80.8%-99.2%的比率向海关提供现金保证金,9月8日起生效。DCS是半导体硅片制造的关键原材料

    定位:半导体上游材料进出口环节,DCS是多晶硅与硅片制造的核心原料

    影响:日本DCS进口成本大幅上升,国内硅片制造商原材料采购面临成本压力;国产DCS替代进程加速,唐山三孚等国内企业迎来市场份额提升机会;半导体材料进出口反倾销成为产业链新变量

    来源:商务部公告2026年第37号、CGTN、中国商务新闻网
  • 4

    粤芯半导体IPO启动,9月24日申购,大湾区12英寸特色工艺再添新军

    事件:9月14日,粤芯半导体发布发行公告,创业板IPO申请已获证监会同意注册,网下与网上申购日同为9月24日,初步询价时间为9月18日。公司现有两座12英寸晶圆厂,规划合计月产能8万片,四期项目落地后总月产能将扩容至12万片

    定位:12英寸模拟特色工艺晶圆制造环节,聚焦电源管理、信号链、微控制器等

    影响:大湾区半导体制造产业再添上市新军,12英寸特色工艺产能持续扩张,模拟芯片国产替代进程加速;2023-2025年营收年均复合增长率达57.3%

    来源:粤芯半导体公告、证券时报、上海证券报
  • 5

    北方华创在手订单超850亿元,同比增长58%,排产至2028年初

    事件:9月16日,21世纪经济报道援引半导体设备行业数据,北方华创截至二季度末在手订单超850亿元,同比增长约58%,排产计划覆盖至2027年三季度,部分追加订单延伸至2028年初。上半年营收201.61亿元,同比增长24.9%

    定位:半导体设备制造环节,覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、热处理等多品类设备

    影响:国产设备龙头订单饱满,反映国内晶圆厂扩产与国产替代双轮驱动;850亿在手订单为未来2-3年业绩增长提供强支撑,设备交付周期持续紧张

    来源:21世纪经济报道、北方华创半年度报告

表1 台积电2nm/3nm先进制程月产能扩张规划

制程节点 2026年底(预估) 2027年中(规划) 半年增幅 主要应用
2nm(GAA) 约9万片/月 约11万片/月 +22% 下一代AI芯片、高端处理器
3nm(FinFET) 逾18万片/月 约21万片/月 +16% 当前旗舰AI芯片、智能手机SoC
合计先进制程 约27万片/月 约32万片/月 +18.5% AI算力与高端计算核心
💡 一句话分析:台积电2nm/3nm产能同步提速,半年内先进制程总产能增长近两成,反映AI芯片需求持续旺盛;上游设备材料厂商订单能见度延长,先进制程产能紧缺格局短期难以缓解。

表2 全球主要DRAM厂商月产能对比(2026年底预估)

厂商 国家/地区 2026年底月产能(预估) 全球份额(预估) 扩产动态
三星电子 韩国 约45万片 约32% 平泽P3/P4持续扩产
SK海力士 韩国 约40万片 约28% 清州M15X、龙仁园区建设
美光科技 美国 约38.5万片 约27% 爱达荷州、纽约州扩产
长鑫科技 中国 约35万片 约13% 合肥+北京双基地,考虑北京第二厂
💡 一句话分析:长鑫科技2026年底月产能将达35万片,接近美光38.5万片水平,全球份额提升至约13%;国产DRAM产能持续扩张,在全球存储紧缺背景下为国内产业链提供更多本土供给选择。

注:具体数据以各来源官方披露为准;涉及资质与合规信息如有出入,以主管部门公示为最终依据。

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