壹周要闻

发改委：我国集成电路成熟制程产能居世界第一，28nm+全球占比近30%，承接全球成熟工艺订单

10月下旬，国家发展改革委在新闻发布会上表示，我国集成电路关键核心技术攻关取得突破，成熟制程产能居世界第一；人民网等权威媒体10月28日刊发深度报道进一步解读，核心信息：

• ●官方表态：国家发展改革委有关负责同志指出，我国集成电路关键核心技术攻关取得突破，成熟制程产能居世界第一
• ●产能占比：28nm及以上成熟制程芯片的中国产能全球占比已接近30%，而全球70%的芯片应用需求集中在成熟工艺领域
• ●产业逻辑：中国集成电路拥有从设计、制造到封装测试的全球少有的全链条能力；海外巨头将产能重心转向高端AI芯片，成熟制程出现结构性缺口，深耕成熟工艺、产能稳定可靠的中国厂商精准承接全球成熟工艺需求
• ●需求结构：成熟工艺应用覆盖功率半导体、模拟芯片、MCU、传感器、汽车电子等广泛市场，需求基本盘稳固
• ●产业全景：同期披露，人工智能开源大模型全球累计下载量突破100亿次，人形机器人出货量全球占比超过90%，新能源汽车渗透率达53.6%

处于晶圆制造成熟制程环节，产能规模全球领先，带动全产业链协同：

• ▲上游：成熟制程设备（刻蚀、薄膜沉积、清洗等）国产化率快速提升，国产设备在成熟产线批量导入
• ▼中游：中芯国际、华虹等成熟制程晶圆代工产能，28nm及以上覆盖全球近30%产能
• ●下游：功率半导体、模拟芯片、MCU、传感器、汽车电子等广泛成熟工艺应用市场

沿产业链逐级传导，对各环节影响深远：

• ■产能供给端：成熟制程产能世界第一标志中国晶圆制造规模优势确立；全球70%芯片应用需求集中在成熟工艺，需求基本盘稳固，产能利用率具备支撑
• ■需求承接端：海外巨头产能重心转向高端AI芯片，成熟制程出现结构性缺口；叠加存储三巨头退出DDR4等成熟节点，中国厂商承接全球成熟工艺订单的窗口期进一步打开
• ■设备材料端：成熟制程扩产带动国产设备材料批量验证导入，设备国产化率持续提升，产业链自主可控能力增强
• ■产业竞争视角：成熟制程与先进制程"两条腿走路"格局清晰，中国以成熟制程规模优势锁定基本盘，同时攻坚先进制程与特色工艺
• ■关务视角：成熟制程芯片出口量持续增长，芯片HS归类、原产地规则与出口管制合规，成为成熟工艺产能出海的关键配套

动态一 | SK海力士Q3营收首破100万亿韩元、营业利润+632%双创新高，34万亿韩元股东回报创纪录

10月28日，SK海力士发布2026年第三季度财报，业绩全面刷新纪录，核心数据：

• ●营收：104.6155万亿韩元（约合5220亿元人民币），同比增长328%、环比增长32%，季度营收史上首次突破100万亿韩元大关
• ●利润：营业利润83.3338万亿韩元，同比增长632%；净利润39.7756万亿韩元，双双刷新季度历史最高纪录
• ●股东回报：第三季度现金分红14万亿韩元（每股2万韩元，含业绩分红1万+分享铠侠投资成果的特别分红1万）；拟回购库存股20万亿韩元，其中10万亿韩元计划全部注销
• ●特别分红来源：公司处置日本铠侠部分股权获得约20万亿韩元收益，将其中约80%（约16万亿韩元）以特别分红形式返还股东
• ●产品策略：扩大HBM4及面向服务器的高附加值产品产能，HBM市占率全球第一的地位持续巩固

处于全球存储芯片制造龙头环节，业绩爆发沿产业链逐级传导：

• ▲上游：HBM制造设备（TSV刻蚀、键合设备）、EUV光刻机、先进封装材料，扩产带动设备材料订单
• ▼中游：SK海力士DRAM/HBM/NAND制造，HBM市占率全球第一，与三星、美光形成存储三巨头格局
• ●下游：英伟达AI GPU、AI服务器、数据中心，HBM高带宽存储是AI算力的核心内存

• ■存储超级周期盈利全面兑现，HBM4扩产加速，存储三巨头垄断格局强化；股东回报成为巨头新常态，资本开支与分红回购并行
• ■存储巨头盈利暴增与资本开支扩张共振，HBM制造设备（TSV、混合键合）、EUV光刻机需求持续增长，设备材料订单能见度延长
• ■HBM供应紧张与涨价持续，AI服务器成本上行但算力需求刚性；存储供需紧平衡支撑行业高景气延续至2028年
• ■关务视角：HBM及高端存储芯片进出口量价齐升，HS归类、原产地认定与口岸查验时效成为存储供应链关键变量

动态二 | 台积电A14工艺SRAM单元尺寸突破，打破8年技术瓶颈，缓解AI芯片"缓存墙"

10月27日，财联社报道，台积电在先进制程工艺上取得关键突破，核心信息：

• ●技术突破：台积电计划在2028年量产的A14工艺上，将高密度6T SRAM位单元面积缩小至0.017平方微米以下，降幅超过19%
• ●行业意义：这将是自2020年N5量产以来，台积电SRAM单元尺寸的首次实质性缩减，一举打破8年技术瓶颈
• ●产品支撑：SRAM单元尺寸突破为AI芯片的片上缓存（L3 Cache）密度提升提供关键支撑，缓解大模型推理的"缓存墙"瓶颈
• ●工艺规划：A14工艺计划2028年量产，是台积电面向AI算力时代的关键节点工艺

处于先进制程工艺研发环节，SRAM单元是逻辑芯片缓存的核心结构：

• ▲上游：EUV光刻、先进材料与设计工具，SRAM微缩依赖极紫外光刻与先进设计协同
• ▼中游：台积电A14先进制程晶圆代工，SRAM密度决定AI芯片片上缓存容量
• ●下游：英伟达、AMD等AI芯片设计厂商，缓存密度直接影响大模型推理性能

• ■SRAM单元尺寸突破缓解AI芯片"缓存墙"瓶颈，支撑大模型推理对片上存储密度的需求，先进制程竞争力进一步增强
• ■A14工艺（2028年量产）技术节点竞争力提升，先进制程代工壁垒进一步抬高，AI芯片设计厂商获得更高缓存密度的工艺选择
• ■SRAM微缩重新提速，带动逻辑工艺微缩路线重回快车道，对先进设备与材料提出更高要求
• ■关务视角：先进制程设备与材料进出口管制趋严背景下，工艺突破对供应链自主可控的诉求持续强化

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  英飞凌宣布建全球首座12英寸氮化镓工厂，总投资81.6亿元

  事件：10月27日，英飞凌宣布建立全球首座12英寸氮化镓（GaN）大规模量产晶圆厂，项目总投资11亿欧元（约合人民币81.6亿元）。这是功率半导体领域向12英寸晶圆代际跨越的标志性项目，将大幅降低GaN器件单位成本，面向AI数据中心电源、快充、新能源等应用

  定位：第三代半导体功率器件制造环节，GaN功率器件面向高效电源与数据中心

  影响：12英寸GaN量产将显著摊薄成本，GaN功率器件向数据中心电源、新能源等高价值场景加速渗透；全球功率半导体巨头竞相布局12英寸化合物半导体，国产GaN产业链追赶压力与机遇并存

  来源：行家说、英飞凌官网
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  国内首款12英寸多晶碳化硅衬底在长沙问世，瞄准AI芯片散热瓶颈

  事件：10月29日，湖南泰坦未来科技有限公司宣布推出国内首款12英寸多晶碳化硅（SiC）衬底。该产品直径约300毫米、由众多微小碳化硅晶粒构成，主要作为先进封装和高温半导体工艺中的高导热支撑基板，瞄准AI芯片与先进封装的散热瓶颈

  定位：半导体先进封装材料环节，多晶碳化硅衬底是高导热封装基板

  影响：AI芯片功耗密度持续攀升，高导热封装材料需求凸显；12英寸多晶碳化硅衬底国产化突破，为先进封装散热方案提供新选择；国内化合物半导体材料向大尺寸、多品类演进

  来源：IT之家、泰坦未来科技
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  AXT融资5.45亿美元扩建InP衬底产能，磷化铟供应格局生变

  事件：10月28日，AXT宣布筹集最高5.45亿美元私募融资，用于扩建磷化铟（InP）衬底和原材料产能。InP衬底是光通信、AI数据中心光模块核心材料，扩建产能将缓解当前InP衬底供应紧张局面，支撑AI算力互联基础设施建设

  定位：化合物半导体材料环节，InP衬底是光芯片与高速光模块的核心基底材料

  影响：AI数据中心光互联赛道景气高涨，InP衬底供应紧张推动上游扩产；材料产能扩张保障光模块交付节奏，支撑AI算力网络建设；全球InP衬底供应格局竞争加剧

  来源：Semiconductor Today、AXT公告
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  中国信科多芯光纤传输容量提升32倍，支撑算力枢纽互联

  事件：10月26日，中国信科集团光通信技术和网络全国重点实验室宣布，其多芯光纤超宽带扩容方案完成验证：相比传统C+L波段商用单芯G.652光纤约100Tb/s的容量上限，该系统将单纤总传输容量提升32倍。该方案验证了多芯光纤超宽带扩容路线产业化潜力，为大型算力枢纽互联、骨干传输及6G承载提供下一代高速光通信核心技术支撑

  定位：光通信技术与传输网络环节，多芯光纤是下一代超大容量传输的核心路线

  影响：AI算力枢纽间互联带宽需求激增，多芯光纤将单纤容量提升32倍，为大型数据中心集群提供高速通道；光通信自主技术路线产业化推进，支撑东数西算与算力网络建设

  来源：财联社、中国信科
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  TrendForce：存储三巨头退出成熟制程，DDR4供应收紧合约价上涨

  事件：10月28日，TrendForce发布DRAM市场简报：随着三大存储原厂逐步退出成熟制程节点，DDR4供应显著收紧，推动消费DRAM合约价格上涨；同时原厂持续将先进制程产能投入服务器高效能产品（HBM与DDR5），整体维持供不应求格局，现货市场则受需求疲弱与台风扰动影响

  定位：存储芯片供需格局环节，DDR4属成熟制程节点，HBM/DDR5属先进制程产能

  影响：存储三巨头退出DDR4等成熟节点，成熟制程供需缺口扩大，与我国成熟制程产能世界第一形成呼应；DDR4合约价上涨支撑存储产业链盈利，消费级存储成本上行；先进制程产能持续向HBM倾斜，成熟与先进节点分化加剧

  来源：TrendForce、证券时报

表1　我国集成电路成熟制程产能关键数据

表2　SK海力士2026年第三季度财报关键指标

注：涉及资质与合规信息如有出入，以主管部门公示为最终依据；业绩数据为各公司已披露口径，不构成投资建议。